荷蘭 ASML 公司宣佈了一項令人振奮的技術突破：到 2030 年，其核心晶片製造裝置每小時處理晶圓數量有望從當前的 220 片躍升至 330 片，晶片產量或將提升高達 50%！
ASML 是全球唯一商用極紫外（EUV）光刻機制造商，其裝置是台積電、英特爾等企業打造先進計算晶片的核心利器。ASML EUV 光源首席技術專家邁克爾·珀維斯（Michael Purvis）表示：“這絕非紙上談兵，而是一套能在客戶真實生產環境中，穩定輸出 1000 瓦功率的成熟系統。”
EUV 光源功率提升至 1000 瓦
此次突破直接解決了 EUV 光刻機中最具挑戰性的環節——高功率穩定光源。ASML 研究團隊將 EUV 光源功率從 600 瓦提升至 1000 瓦，使每小時可生產更多晶片，從而顯著降低單顆晶片製造成本。
晶片製造原理類似攝影：EUV 光照射在塗有光刻膠的矽片上，功率越高，曝光時間越短。ASML NXE 系列 EUV 裝置執行副總裁特恩·範高赫（Teun van Gogh）指出：“我們的目標是讓客戶以更低成本，持續受益於 EUV 技術。”
2030 年，每臺裝置每小時處理 330 片晶圓
通過強化錫滴發生器等關鍵部件，ASML 實現了功率大幅提升。裝置向腔室噴射熔融錫滴，再用高功率 CO₂ 雷射將其加熱成等離子體，產生 13.5 奈米波長的 EUV 光線。蔡司集團提供的精密光學系統收集光線並匯入光刻機用於晶片刻蝕。
本次突破包括：錫滴噴射速率提升一倍至每秒約 10 萬滴，以及採用雙束短脈衝雷射激發等離子體。科羅拉多州立大學教授 Jorge J. Rocca 表示：“能實現 1000 瓦功率，這一成就令人驚歎。”
珀維斯補充：“我們已看到通往 1500 瓦的清晰路徑，物理上達到 2000 瓦也並非不可能。”
挑戰 ASML 的新銳力量
目前，Substrate 和 xLight 等初創公司正嘗試挑戰 ASML 的霸主地位。Substrate 採用波長更短的 X 射線光刻技術，計劃建廠直接與台積電等企業競爭；而 xLight 正研發相容 ASML 工具的高功率 LPP 光源，目標顯著降低晶圓成本並提高製造效率。
在全球晶片製造領域，這場 EUV 技術競賽無疑將掀起新一輪創新浪潮。