蘋果20週年紀念iPhone或引入Mobile HBM記憶體，AI效能大幅提升在望

【IT之家 5 月 14 日訊】據韓媒 ETNews 報道，蘋果正籌劃為iPhone問世20週年推出紀念版本，並計劃引入一項前沿儲存技術——移動高頻寬記憶體（Mobile HBM），以大幅增強裝置的AI處理能力。

🔧 什麼是 Mobile HBM？

Mobile HBM 屬於高效能DRAM型別，通過垂直堆疊儲存晶片並採用“矽通孔”（TSV）技術實現高速連線，目前主要用於AI伺服器與GPU協同工作，因此也被稱為“AI記憶體”。蘋果正探索將此技術適配移動端，以打破傳統LPDDR儲存在頻寬與能效上的瓶頸。

📱 為什麼引入 Mobile HBM？

與傳統儲存相比，Mobile HBM 在保持低功耗的同時，可實現極高的資料吞吐能力，並顯著節省晶片空間。蘋果計劃將其與GPU單元協同運作，支援iPhone本地執行大型AI模型，如大語言模型推理、高階視覺識別等任務——而不會增加裝置功耗或響應延遲。

🤝 與誰合作？

據稱蘋果已與三星電子、SK海力士等頂級儲存廠商展開初步接洽。兩家均在積極研發自有Mobile HBM解決方案：

• 三星採用“垂直銅柱堆疊”（VCS）封裝工藝；
• SK海力士研發“垂直引線扇出”（VFO）技術；
  預計二者將在2026年後實現量產。

⚠ 技術挑戰：

• 成本高昂：Mobile HBM的製造遠高於當前主流LPDDR；
• 散熱問題：3D堆疊結構對iPhone這種輕薄裝置提出極高散熱與封裝要求；
• 良率控制複雜：TSV精度要求高，封裝難度大。

🔮 展望未來

除了記憶體革新，報道還提到2027年iPhone將實現“真·全面屏”，採用四邊環繞設計，徹底取消可見邊框。結合Mobile HBM和邊緣AI佈局，蘋果正在為新一代“超級移動終端”奠定硬體基礎。