SoftBank dan Intel Masuk ke Lintasan Memori Penyimpanan: “HBM” Hemat Daya Ditargetkan Komersial pada Tahun Fiskal 2029

Investasi besar-besaran pada infrastruktur kecerdasan buatan (AI) kini mendorong terbentuknya “supercycle” baru di industri memori dan penyimpanan. Di tengah momentum ini, para raksasa investasi dan teknologi berlomba-lomba mengamankan posisi. Pada Selasa, SoftBank Group mengumumkan bahwa anak usahanya, Saimemory, telah menjalin kerja sama dengan Intel untuk mengembangkan teknologi chip memori generasi terbaru.

Kedua perusahaan diketahui telah menandatangani perjanjian kolaborasi pada 2 Februari waktu setempat, dengan fokus utama mempercepat komersialisasi ZAM (Z-Angle Memory). ZAM diposisikan sebagai teknologi memori generasi berikutnya yang menggabungkan kapasitas tinggi, bandwidth besar, serta konsumsi daya yang lebih rendah—kombinasi yang semakin krusial untuk kebutuhan komputasi AI modern.

Dalam kerja sama ini, Saimemory akan memanfaatkan teknologi perakitan DRAM (dynamic random-access memory) generasi baru milik Intel. Targetnya, pengembangan produk prototipe dapat diselesaikan paling lambat awal 2028. Secara lebih rinci, Saimemory menargetkan prototipe pada tahun fiskal 2027, dan memproyeksikan komersialisasi pada tahun fiskal 2029.

SoftBank menegaskan bahwa pengembangan ZAM diarahkan untuk penggunaan di pusat data AI. Seiring model AI generatif membutuhkan daya komputasi yang sangat besar, memori berkecepatan tinggi telah menjadi komponen kunci dalam arsitektur pusat data yang menopang pelatihan dan inferensi AI berskala besar.

“Teknologi memori generasi berikutnya bernama ZAM ini akan menghadirkan kemampuan pemrosesan data berkapasitas tinggi dan berbandwidth besar, performa pemrosesan yang lebih kuat, serta konsumsi daya yang lebih rendah bagi pusat data dan lingkungan lain yang memerlukan pelatihan serta inferensi model AI skala besar,” tulis SoftBank dalam pernyataannya.

Saat ini, kebutuhan komputasi untuk melatih model-model AI terus meningkat secara eksponensial, dan isu konsumsi energi pusat data telah menjadi tantangan utama industri. Memori bandwidth tinggi seperti HBM memang mampu meningkatkan efisiensi transfer data, namun persoalan daya masih sulit dituntaskan. Sebagai ilustrasi, sejumlah data menunjukkan bahwa pada pusat data AI milik Google, konsumsi daya unit memori HBM dapat mencapai sekitar 35% dari total konsumsi daya memori, sementara biaya pendinginan terus naik dari tahun ke tahun.

Kolaborasi SoftBank dan Intel dalam mengembangkan chip memori AI baru ini secara langsung menyasar titik lemah tersebut. Kerja sama ini juga dipandang sebagai sinyal bahwa ekosistem perangkat keras AI berpotensi memasuki fase transformasi besar—dengan efisiensi energi menjadi fokus utama, sejajar dengan peningkatan performa.

Saimemory sendiri merupakan anak perusahaan SoftBank yang didirikan pada Desember 2024, dengan misi mendorong riset dan pengembangan teknologi memori generasi berikutnya serta mempercepat penerapannya dalam skenario nyata. Setelah menyatakan minat untuk bekerja sama dengan Intel pada tahun lalu, perusahaan ini melakukan perubahan nama pada pertengahan 2025. Sejak awal, visinya adalah menghadirkan produk dengan kinerja setara HBM arus utama, namun dengan konsumsi daya yang dapat ditekan lebih dari separuh.

Laporan sebelumnya juga menyebut SoftBank sebagai investor kunci dalam proyek ini, dengan komitmen pendanaan awal sebesar 3 miliar yen, menjadikannya kontributor terbesar pada tahap awal. Total biaya proyek diperkirakan mencapai 10 miliar yen (sekitar 70 juta dolar AS). Menariknya, apabila produk Saimemory berhasil masuk pasar, SoftBank akan memperoleh hak prioritas pasokan.

Dari sisi Intel, kerja sama ini juga bernilai strategis. Pengumuman tersebut hadir ketika Intel tengah memperkuat lini produk chipnya dan berupaya mengejar ketertinggalan dalam penyediaan solusi untuk sektor AI dibanding para pesaingnya.

Pada saat yang sama, ini juga menandai “kembali”-nya Intel ke ranah memori. Pada 2022, Intel memutuskan keluar dari bisnis Optane dan menjual bisnis NAND flash-nya kepada SK hynix, meski tetap mempertahankan teknologi dan paten terkait 3D XPoint yang berhubungan dengan Optane.

Para analis menilai, meskipun Saimemory berfokus pada jalur DRAM—berbeda dari Optane yang mengusung teknologi penyimpanan non-volatil—keunggulan Intel dalam advanced packaging serta teknologi penumpukan chip (chip stacking) dapat menjadi fondasi teknis penting yang mempercepat pengembangan dan validasi roadmap Saimemory.