半導體裝置：2026 年最強行業風口

AI 算力正快速飆升——與此同時，整個半導體產業的需求邏輯也在被重寫。在這條產業鏈上，有一個典型的“賣鏟子”賽道正在進入高確定性的增長階段：半導體裝置。

01 半導體裝置駛入“快車道”

2025 年，儲存市場的漲價週期貫穿全年。疊加 HBM（高頻寬記憶體）與 DDR5 需求的集中爆發，以及全球行業巨頭的擴產動作，半導體裝置市場等於直接駛入需求增長的“快車道”，成為最大的受益領域之一。

行業預測已釋放出清晰訊號。SEMI 在其最新發布的《半導體裝置年終預測——OEM 視角》報告中指出，全球半導體制造裝置 OEM 銷售額預計將在 2025 年達到創紀錄的 1330 億美元，同比增長 13.7%。未來兩年仍將延續上行趨勢，預計 2026 年達到 1450 億美元、2027 年達到 1560 億美元。核心驅動來自 AI 相關投資，尤其集中在先進邏輯、儲存與先進封裝技術應用。

從細分維度看，增長同樣明確。SEMI 提到，晶圓廠裝置（WFE）在 2024 年創下 1040 億美元紀錄後，預計 2025 年將再增長 11.0% 至 1157 億美元。該數值高於 SEMI 2025 年中期預測的 1108 億美元，反映出為支撐 AI 計算，DRAM 與高頻寬記憶體（HBM）投資力度超出預期。

簡而言之，儲存廠商的擴產與技術升級，正在成為拉動裝置需求的關鍵引擎。

在國內，長鑫儲存的招股書顯示，其募資將重點投向三大方向：面向量產的“儲存器晶圓製造產線技術升級改造專案”（擬投入 75 億元）、“DRAM 儲存器技術升級專案”（擬投入 130 億元），以及前瞻研發專案。隨著這些專案落地，半導體裝置市場有望迎來更直接的需求提振。

國際儲存龍頭同樣在加速。韓國的三星電子與 SK 海力士正在推進記憶體產能擴張。三星近期不僅提升了韓國本土 DRAM 與 NAND 快閃記憶體產線的執行效率，也將資源更集中於 HBM 等高階產品製造。同時，公司在 11 月重啟平澤第五工廠建設，計劃於 2028 年啟動量產，以增強先進儲存技術的供應能力。

與此同時，SK 海力士位於清州的 M15X 新工廠已進入投產前關鍵準備階段，聚焦 DRAM 及面向 AI 的儲存解決方案。業內人士透露，SK 海力士正力爭在 2027 年前完成龍仁半導體園區內首座晶圓廠建設，該專案整體規模相當於六座 M15X 級別工廠，顯示出其對未來需求的積極佈局。值得注意的是，SK 海力士 DRAM 月產能約 50 萬片晶圓，即使加上 M15X 也僅約 55 萬片；相比之下，三星電子月產能約 65 萬片晶圓。

SEMI 資料還顯示，到 2026 年韓國預計將重回全球晶片裝置支出第二位，支出約 296.6 億美元，較 2025 年預計的 233.2 億美元增長 27.2%。這一明顯增幅，體現了在儲存需求帶動下，韓國半導體資本開支的強勁反彈。

從全球裝置投資格局的階段變化看，2025 年中國臺灣預計以約 261.6 億美元位列全球第二，略高於韓國；但到 2026 年，排名預計將發生逆轉——韓國重回第二，中國大陸仍將穩居第一，預計當年半導體裝置投入約 392.5 億美元。

那麼，在儲存週期升溫的背景下，哪些裝置品類的拉動最為顯著？

02 這些裝置品類熱度快速升溫

儲存晶片的演進，本質是一場“空間爭奪戰”。從 2D 平面縮放走向 3D 堆疊，NAND 快閃記憶體層數已突破 400 層，並向 1000 層邁進。DRAM 正朝垂直通道電晶體（VCT）架構演進，HBM 通過 TSV（矽通孔）實現晶片垂直互聯。技術路線的躍遷，正在從根本上抬高對半導體裝置的要求。

在最直接的受益方向上，3D NAND 擴產與 DRAM 技術演進，對刻蝕與沉積裝置形成最強拉動；HBM 擴產則進一步推升光刻、ALD 與混合鍵合裝置需求。

3D NAND / DRAM：刻蝕與沉積需求激增

刻蝕裝置可以理解為半導體制造的“精密雕刻刀”，核心任務是按照預設圖形選擇性去除晶圓表面的材料。

與 2D NAND 時代刻蝕主要作為光刻配套不同，3D NAND 提升整合度的關鍵路徑不再是縮小單層線寬，而是增加堆疊層數。刻蝕需要在氧化矽與氮化矽交替疊層結構中，加工極深孔或極深溝槽（深寬比約 40:1 到 60:1）。層數越高，刻蝕技術對更高深寬比的要求就越苛刻。

以某條 3D NAND 工藝路線為例，在假設月產能 15 萬片晶圓的情況下，隨著堆疊層數提升，刻蝕裝置用量佔比持續上升。當層數從 32 層提升到 128 層時，刻蝕裝置佔比從 34.9% 升至 48.4%。不同節點下，CMOS 外圍驅動部分對刻蝕裝置需求相對穩定，而儲存陣列結構的變化更為明顯，涉及溝道孔（Channel Hole）、臺階（Stair Step）、狹縫（Slit）、接觸孔（Contact Via）與清理（Clear Out）等關鍵刻蝕工藝。由於臺階刻蝕單次形成臺階數量固定，裝置需求幾乎與堆疊層數成正比。另一方面，堆疊越高、膜厚越大，溝道孔、狹縫、接觸孔的刻蝕時間會變長甚至翻倍，導致單臺裝置 WPH（每小時處理晶圓數）下降，從而進一步推高裝置數量需求。

SEMI 預測，2026—2028 年全球儲存領域裝置支出將達 1360 億美元，其中 3D NAND 相關投資佔比超過 40%。作為核心環節的刻蝕裝置，將持續享受擴產紅利。

DRAM 也存在向更“立體化”結構演進的路線圖，使刻蝕裝置的需求量與效能要求呈加速提升趨勢。

如果說刻蝕是“減法”，薄膜沉積就是“加法”——通過在晶圓表面交替堆疊導電膜、絕緣膜等材料，構建器件的基礎疊層結構。3D NAND 層數越多，沉積步驟就越多，對沉積裝置的需求也會同步爆發。例如從 24 層走到 232 層，每層都需要薄膜沉積工藝步驟，自然帶來更多沉積裝置需求。

薄膜沉積主要包括 CVD（化學氣相沉積）與 PVD（物理氣相沉積），也會少量採用電鍍、蒸發等工藝。近年來更先進的 ALD（原子層沉積）在高精度場景中的重要性不斷上升。

與 CVD、PVD 相比，ALD 能在高深寬比結構與極窄開口的場景下實現更優異的臺階覆蓋率，並具備更精準的膜厚控制能力。因此，在 NAND 從 2D 轉向 3D 堆疊結構後，ALD 的需求佔比會提高。東京電子披露資料顯示，在 Flash 產線資本開支結構中，薄膜沉積裝置佔比從 2D 時代的 18% 提升至 3D 時代的 26%。隨著層數繼續增加、深寬比持續拉大，ALD 裝置需求還將進一步提升。

HBM：光刻、ALD 與鍵合需求躍升

HBM 通過垂直堆疊多層 DRAM 晶片（通常 4—16 層），每層容量可達 2—24GB，並利用 TSV 技術形成高密度互聯與儲存單元。

除刻蝕與薄膜沉積之外，HBM 對光刻裝置與混合鍵合裝置也提出更高要求。

光刻裝置升級的核心原因來自兩方面：DRAM 製程持續微縮，以及 HBM 超高密度互聯對圖形化精度的極致要求。DRAM 第六代製程（D1c）已規模化應用 EUV 光刻。儘管三星、美光與 SK 海力士在工藝路線中存在差異，但都依賴 EUV 實現精度突破。與 ArFi 相比，EUV 的 13.5nm 波長可減少多重圖案化依賴，為 VCT 架構成型提供支撐。HBM 領域 TSV 介面數量繼續提升（如 HBM4 達 2048 個）且佈線間距達到微米級，也進一步推高 EUV 光刻的優先順序。

混合鍵合裝置是 HBM 製造的重要裝備之一。現階段 HBM3/3E（8—12 層）主要採用傳統微凸塊（Micro Bump）技術，對應的熱壓鍵合（TCB）裝置形成兩條並行路線：TC-NCF（非導電薄膜熱壓鍵合）與 TC-MUF（模塑底部填充熱壓鍵合）。隨著堆疊層數提高，傳統 TC-NCF 的散熱挑戰會被放大，TC-MUF 更可能成為新一代 HBM 量產的主流技術。進一步往後，在總高度受限、層數繼續增加的前提下，混合鍵合被視為 HBM 繼續演進的關鍵路徑。

03 裝置國產化：邁向更高階

隨著 3D NAND、DRAM 與 HBM 等儲存技術快速迭代，刻蝕、薄膜沉積、混合鍵合三類核心裝置的需求將持續擴張，成為推動儲存產業升級的關鍵支撐。同時，清洗、離子注入、快速熱處理、塗膠顯影、封裝檢測、電鍍、CMP 拋光等配套裝置，也會在晶圓廠擴產與儲存需求激增中同步受益，共同構成完整的裝置體系。

在刻蝕裝置方面，國內代表廠商包括中微公司（AMEC）、北方華創（NAURA）與屹唐半導體等。中微是刻蝕裝置的重要領軍者，其 CCP 裝置已覆蓋 28nm 及以上的大多數應用，並在 28nm 及以下節點取得關鍵進展。在 3D NAND 高深寬比刻蝕與邏輯晶片前端刻蝕方面，中微的技術已進入部分先進節點，並被全球頂級晶片製造商採用。

北方華創的 CCP 裝置在 8 英寸產線的矽刻蝕與介質刻蝕應用中佔據優勢地位，在 12 英寸產線也已應用於硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心工藝步驟。

屹唐半導體前身為應用材料旗下的溼法裝置業務部門，2015 年通過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積與快速熱處理三大核心裝置產品線。

在薄膜沉積裝置方面，北方華創、拓荊科技、中微公司、微導奈米等國內廠商加速崛起。拓荊科技深耕薄膜沉積裝置，形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 等系列產品，廣泛應用於邏輯晶片與儲存晶片製造，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等。

中微公司早在 2023 年就向客戶交付薄膜裝置，主要包括 CVD/HAR/ALD 鎢（W）裝置，以及 TiN/TiAl/TaN 等 ALD 裝置。其 2025 年三季度財報顯示，為先進儲存與邏輯器件開發的 LPCVD、ALD 等多款薄膜裝置已順利進入市場。

北方華創是國內 PVD 龍頭，同時在 LPCVD、APCVD、ALD 等領域亦有所佈局。微導奈米以 ALD 裝置起家，是國內首家將量產型 High-k ALD 成功應用於 28nm 前道製造產線的國產裝置公司。盛美上海則以清洗裝置起步，正逐步向平臺型裝置公司擴充套件，在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等多領域推出產品。

在鍵合裝置方面，國內在混合鍵合領域的突破尤為明顯。

青禾晶元於 2025 年釋出全球首臺獨立研發的 C2W&W2W 雙模式混合鍵合裝置 SAB82CWW 系列，已陸續完成交付並通過市場驗證，在儲存、Micro-LED 顯示、CMOS 影像感測器、光電整合等領域展現應用潛力。

拓荊科技依託薄膜沉積技術積累，推出 Dione 300 系列晶圓對晶圓（W2W）鍵合裝置，可實現常溫下多材料表面的高精度鍵合，廣泛應用於 3D IC、先進封裝與 CIS 等高階領域；Dione 300 eX 面向更高精度 W2W 混合鍵合，已發貨進入客戶端驗證。同時推出 Pollux 系列晶片對晶圓（D2W）鍵合表面預處理裝置，形成“預處理 + 鍵合”的完整解決方案，在對準精度與鍵合強度等關鍵指標上接近國際一流水平；並推出 C2W 混合鍵合裝置 Pleione 300，主要面向 HBM 與三維整合應用，目前正進行產業化驗證。

邁為股份聚焦半導體泛切割與 2.5D/3D 先進封裝，提供封裝工藝整體解決方案，已開發晶圓混合鍵合、晶圓臨時鍵合、D2W TCB 鍵合等裝置。

熱壓鍵合（TCB）裝置也成為 CIS 與 3D IC 封裝的重要支撐，青禾晶元 SAB6310 已成功匯入頭部客戶 CIS 產線。引線鍵合裝置在功率半導體與 LED 封裝領域需求穩定，奧特維、新益昌、微宸科技等廠商憑藉高性價比與穩定效能，佔據國內中小封測廠的主要市場。與此同時，臨時鍵合/解鍵合與常溫鍵合裝置快速興起，芯源微的臨時鍵合機 KS-C300-2TB 與解鍵合機 KS-S300-1DBL 面向 Chiplet 場景打造，相容國內外主流膠材工藝，可支援 60μm 及以上超大膜厚塗膠需求。

在國產化浪潮與政策扶持的雙重驅動下，國內裝置企業正加速打破國際壟斷，在多個細分領域實現從技術突破到量產應用的跨越。但在高階先進製程領域，差距仍然客觀存在。