軟銀與英特爾進軍儲存與記憶體賽道：低功耗“HBM”瞄準 2029 財年實現商業化

人工智慧（AI）基礎設施投入正推動儲存與記憶體市場迎來新一輪“超級週期”，投資機構與科技巨頭紛紛加速佈局這一關鍵賽道。週二，軟銀集團表示，其子公司 Saimemory 已與英特爾達成合作，雙方將聯合開發下一代記憶體技術。

兩家公司已於 2 月 2 日簽署合作協議，計劃共同推動 ZAM（Z-Angle Memory，Z 角度儲存）的商業化。ZAM 是一種全新的記憶體架構，主打高容量、高頻寬以及更低功耗，這些特性正日益成為現代 AI 工作負載的核心需求。

根據協議，Saimemory 將採用英特爾的下一代 DRAM（動態隨機存取儲存器）組裝技術，並計劃在 2028 年初前完成原型開發。更具體而言，Saimemory 目標是在 2027 財年完成原型，並於 2029 財年實現商業化落地。

軟銀表示，該技術的研發方向明確瞄準 AI 資料中心。隨著生成式 AI 模型對算力需求的急劇上升，高速記憶體已成為 AI 資料中心中最關鍵的基礎元件之一。

軟銀在宣告中指出：“ZAM 這一下一代記憶體技術，將為需要進行大規模 AI 模型訓練與推理的資料中心及相關場景，提供高容量、高頻寬的資料處理能力，同時實現更高效能與更低功耗。”

隨著 AI 訓練算力需求呈指數級增長，資料中心的能耗問題已成為全行業的核心痛點。儘管高頻寬記憶體（HBM）能夠顯著提升資料傳輸效率，但其功耗始終難以有效控制。有估算顯示，在谷歌的 AI 資料中心中，HBM 的功耗佔記憶體系統總能耗的比例高達 35%，且散熱成本仍在逐年上升。

軟銀與英特爾此次聯手，正是直擊這一瓶頸問題。這一合作也釋放出明確訊號：AI 硬體的發展方向，正在從單純追求效能，轉向同時強調能效的結構性變革。

Saimemory 本身是一家相對年輕的軟銀子公司，成立於 2024 年 12 月，旨在推動下一代記憶體技術的研發、落地與實際應用。在明確與英特爾合作意向後，該公司於 2025 年年中完成更名。專案自啟動之初，便設定了與主流 HBM 相當的效能目標，同時力爭將功耗降低一半以上。

此前有報道稱，作為該專案的關鍵支援方，軟銀已決定投入首筆 30 億日元資金，成為早期階段最大的出資方。整個專案的總成本預計約為 100 億日元（約合 7000 萬美元）。一旦 Saimemory 的產品成功實現商業化，軟銀將享有優先供貨權。

從英特爾的角度來看，這一合作同樣具有重要的戰略意義。訊息公佈之際，正值英特爾加速強化其晶片產品線，並努力在 AI 相關硬體領域縮小與競爭對手差距的關鍵階段。

這也被視為英特爾在儲存領域的一次重要回歸。早在 2022 年，英特爾便決定退出 Optane 儲存業務，並將 NAND 快閃記憶體業務出售給 SK 海力士，但仍保留了與 Optane 相關的 3D XPoint 技術與專利。

分析人士指出，儘管 Saimemory 聚焦於 DRAM 路線，與 Optane 的非易失性儲存技術不同，但英特爾在先進封裝與晶片堆疊等領域的深厚積累，仍將為 Saimemory 的技術研發與產品推進提供關鍵支援。